ECH8656
7.5
7.0
6.5
ID -- VDS
10
9
ID -- VGS
VDS=10V
6.0
5.5
5.0
8
7
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
1.8V
VGS=1.5V
6
5
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT16586
Ta=25°C
40
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT12484
=1.8
=0.5
=4.0
3.1V
VGS
35
30
25
ID=0.5A
2.0A
4.0A
35
30
25
VGS
V, I D
A
=
, ID
A
=2.0
=2.5
, I D=
=4.5V
VGS
=4.0
4.0V
20
15
10
20
15
10
VGS
VGS
V, I D
A
4.0A
=
, ID
A
5
5
0
0
2
4
6
8
10
0
--75
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
IT16587
10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16588
VGS=0V
5
3
° C
25
° C
3
2
Ta
=
--
75
2
1.0
7
5
1.0
7
25
° C
3
2
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT12487
VDD=10V
VGS=4V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT12488
f=1MHz
Ciss
3
2
1000
7
100
td(off)
5
7
5
tf
3
2
Coss
3
2
tr
td(on)
100
7
C rs s
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT12489
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT12490
No.9010-3/7
相关PDF资料
ECH8657-TL-H MOSFET N-CH DUAL 35V 4.5A ECH8
ECH8659-TL-H MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8
ECH8660-TL-H MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
ECH8661-TL-H MOSFET N/P-CH 30V 7A ECH8
ECH8662-TL-H MOSFET N-CH DUAL 40V 6.5A ECH8
ECH8667-TL-H MOSFET P-CH DUAL 30V 5.5A ECH8
ECH8668-TL-H MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8
ECH8671-TL-H MOSFET P-CH DUAL 12V 3.5A ECH8
相关代理商/技术参数
ECH8657 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ECH8657_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ECH8657-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ECH8659 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ECH8659_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ECH8659-M-TL-H 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ECH8659-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
ECH8659-TL-HX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH+NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel